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中国团队重要突破！将为芯片技术自主可控提供关键材料_蜘蛛资讯网

料少，以及N型材料性能好，P型材料性能差的结构性失衡问题。　　针对上述问题，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层氮化钨硅薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别，生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面，单层氮化钨硅不仅空穴迁移率高、开态电流密度大，强度高、散热好，化学性质也很稳定，综合性能在同类二

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发布时间：02:15:47