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ll援引消息人士指出，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图，该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品，并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。　　HBF是高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩认为，HBM与HB

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发布时间：00:24:17